Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung

EP1215732 Art A3 17. März 2004

Anmelder: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., HALO LSI DESIGN AND DEVICE TECHNOLOGIES INC., Halo Lsi Design and Device Technology Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1215732
Aktenzeichen: EP01129725
Anmeldetag: 13. Dezember 2001
Veröffentlichung: 17. März 2004
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/788

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
HALO LSI DESIGN AND DEVICE TECHNOLOGIES INC.
Halo Lsi Design and Device Technology Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Panasonic

Japanischer Konzern, der Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik, Batterien sowie Komponenten und Lösungen für Industrie und Automobilbau entwickelt und herstellt.

36.518 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von