Halbleiterlaser, Herstellungsverfahren und Montierungsverfahren

EP1215779 Art A3 5. Januar 2005

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1215779
Aktenzeichen
EP01127317
Anmeldetag
19. November 2001
Veröffentlichung
5. Januar 2005
Rechtsraum
EP
IPC
H01S5/223H01S5/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.647 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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