Verfahren zur Kontrollierung von Zwischenoxyd bei einer monokristallinischen/polykristallinischen Silizium-Zwischenschicht
EP1217652
Art B1
24. September 2003
Anmelder: STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1217652
- Aktenzeichen
- EP00830834
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2000
- Veröffentlichung
- 24. September 2003
- Erteilung
- 24. September 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/73
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Pellegri, Alberto
Milano, Italien
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