Transistorschaltung mit schwach dotierten diffundierten Gebieten mit variablem Widerstand für den Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD)

EP1217661 Art B1 27. Juli 2016

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1217661
Aktenzeichen
EP01000777
Anmeldetag
20. Dezember 2001
Veröffentlichung
27. Juli 2016
Erteilung
27. Juli 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/66H01L27/02H01L29/78H01L29/06
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Texas Instruments Incorporated
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Zeller, Andreas Texas Instruments Deutschland GmbH · Inhouse Freising, Deutschland
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