Monolithisch integrierte Spannungsschiebediode für Hyperfrequenzen, insbesondere für einen optoelektronischen Hyperfrequenzsender mit sehr hoher Bandbreite
EP1217725
Art A1
26. Juni 2002
Anmelder: Thales 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1217725
- Aktenzeichen
- EP01403225
- Anmeldetag
- 12. Dezember 2001
- Veröffentlichung
- 26. Juni 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F3/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Thales
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Thales
Französischer Technologiekonzern mit Sitz in Paris, aktiv in Luft- und Raumfahrt, Verteidigungstechnik, Sicherheitstechnologie sowie Bahn- und Kommunikationssystemen für zivile und militärische Anwendungen.
5.826 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Plaçais, Jean Yves
Paris, Frankreich
253
Patente gesamt
30
Fachgebiete
12
Anmelder-Länder
Schwerpunkte