Schaltungsanordnung zur Bildung eines Mos-Kondensators mit Geringer Spannungsabhängigkeit und Geringem Flächenbedarf
EP1218945
Art A1
3. Juli 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1218945
- Aktenzeichen
- EP00978967
- Anmeldetag
- 29. September 2000
- Veröffentlichung
- 3. Juli 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/94H01L27/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Graf Lambsdorff, Matthias
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