Nichtflüchtiger Speicher

EP1220318 Art A1 3. Juli 2002

Anmelder: Rohm Co., Ltd., Rohm, Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1220318
Aktenzeichen
EP00962950
Anmeldetag
28. September 2000
Veröffentlichung
3. Juli 2002
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/105H01L21/8247H01L29/788H01L29/792
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Rohm Co., Ltd.
Rohm, Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen