Halbleiterlaservorrichtung mit einer aktiven Schicht aus InGaAs unter Kompressionsdruck, einer Sperrschicht aus GaAsP unter Dehnungsdruck, und einem Lichtwellenleiter aus InGaP
EP1220393
Art B8
18. April 2007
Anmelder: FUJIFILM Corporation, FUJI PHOTO FILM CO., LTD., Fuji Photo Film Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1220393
- Aktenzeichen
- EP01129445
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2001
- Veröffentlichung
- 18. April 2007
- Erteilung
- 18. April 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/343
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- FUJIFILM Corporation
FUJI PHOTO FILM CO., LTD.
Fuji Photo Film Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujifilm
Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.
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🇯🇵
Fujifilm
Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, ursprünglich als Fuji Photo Film gegründet, heute aktiv in Fotografie, Bildgebung, medizinischer Diagnostik und Spezialchemie.
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