Hochdichtemetallkondensator mit einer Grabenätzstopschicht als Felddielektrikum in einem Dual-Damaszene-Verfahren
EP1221715
Art A3
19. November 2003
Anmelder: Broadcom Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1221715
- Aktenzeichen
- EP02250004
- Anmeldetag
- 2. Januar 2002
- Veröffentlichung
- 19. November 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Broadcom Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Broadcom
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Fokus auf Kommunikations-, Netzwerk- und Speicherchips. Die ursprüngliche Broadcom Corporation ging 2016 in der heutigen Broadcom Inc. auf.
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Jehle, Volker Armin
München, Deutschland
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