Verfahren zur In-Situ Ätzung einer Dielektrischen Antireflektierenden Schicht in einem Gate-Ätzverfahren
EP1222686
Art A2
17. Juli 2002
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1222686
- Aktenzeichen
- EP00992447
- Anmeldetag
- 20. Oktober 2000
- Veröffentlichung
- 17. Juli 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3213
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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Fachgebiete
Vertreten von
Bayliss, Geoffrey Cyril
London, Großbritannien
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