Abriebsbeständiges Siliziumnitridbauteil und Verfahren zur Herstellung des Bauteils

EP1223150 Art B1 7. März 2007

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1223150
Aktenzeichen
EP02000223
Anmeldetag
11. Januar 2002
Veröffentlichung
7. März 2007
Erteilung
7. März 2007
Rechtsraum
EP
IPC
C04B35/587C04B35/593F16C33/04F16C33/30
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

5.205 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Maschinenelemente & Fluidtechnik

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