Verfahren und Vorrichtung zum Niedrigspannung-Plasmadotierung mittels Doppelpulse
EP1224683
Art B1
22. November 2006
Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1224683
- Aktenzeichen
- EP00963652
- Anmeldetag
- 20. September 2000
- Veröffentlichung
- 22. November 2006
- Erteilung
- 22. November 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01J37/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Varian Semiconductor Equipment Associates Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.
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Beck, Simon Antony
London, Großbritannien
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