Herstellung eines Halbleiterbaulelementes mit einer Porösen Dielektrikumsschicht und Luftisolation
EP1224697
Art A1
24. Juli 2002
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1224697
- Aktenzeichen
- EP01971956
- Anmeldetag
- 23. August 2001
- Veröffentlichung
- 24. Juli 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
van der Veer, Johannis Leendert
NoneEindhoven
-
Pennings, Johannes
NoneEindhoven
-
Duijvestijn, Adrianus Johannes
NoneEindhoven