SiC Einkristall und Verfahren zu seiner Herstellung, sowie ein SiC-Halbleiteranordnung und SiC-Verbundmaterial
EP1225257
Art A3
20. August 2003
Anmelder: HOYA CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1225257
- Aktenzeichen
- EP02250383
- Anmeldetag
- 21. Januar 2002
- Veröffentlichung
- 20. August 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/36C30B25/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HOYA CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hoya
Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, aktiv in den Bereichen optische Gläser, Halbleiterfotomasken und medizinische Endoskopie- sowie Augenheilkundeprodukte.
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Fachgebiete
Vertreten von
Colmer, Stephen Gary
London, Großbritannien
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9
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