Integrierter Halbleiterschaltkreis und zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1225627
Art B1
10. Juni 2009
Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1225627
- Aktenzeichen
- EP02250303
- Anmeldetag
- 16. Januar 2002
- Veröffentlichung
- 10. Juni 2009
- Erteilung
- 10. Juni 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJI ELECTRIC CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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Vertreten von
Bridge-Butler, Alan James
London, Großbritannien
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