Herstellungsverfahren von integriertem Halbleiterschaltkreisbauelement mit Halbleiterfestwertspeicherbauelementen
EP1227518
Art B1
24. Juni 2009
Anmelder: Seiko Epson Corporation, Halo LSI Design & Device Technology, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1227518
- Aktenzeichen
- EP02002105
- Anmeldetag
- 28. Januar 2002
- Veröffentlichung
- 24. Juni 2009
- Erteilung
- 24. Juni 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L21/8246H01L21/28H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Seiko Epson Corporation
Halo LSI Design & Device Technology, Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Epson
Japanisches Unternehmen, das Drucker, Scanner, Projektoren sowie Uhrwerke und Sensortechnik entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Hoffmann, Eckart, Dipl.-Ing
Gräfelfing, Deutschland
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