Halbleiteranordnung mit hoher Durchbruchsspannung

EP1227522 Art B1 30. November 2011

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1227522
Aktenzeichen
EP02001150
Anmeldetag
25. Januar 2002
Veröffentlichung
30. November 2011
Erteilung
30. November 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/739H01L29/06H01L29/10H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.649 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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