Polarisierungsverfahren für Mosfet-Struktur mit geringem Substrateffekt
EP1227576
Art B1
16. September 2009
Anmelder: Broadcom Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1227576
- Aktenzeichen
- EP02250156
- Anmeldetag
- 10. Januar 2002
- Veröffentlichung
- 16. September 2009
- Erteilung
- 16. September 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F1/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Broadcom Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Broadcom
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Fokus auf Kommunikations-, Netzwerk- und Speicherchips. Die ursprüngliche Broadcom Corporation ging 2016 in der heutigen Broadcom Inc. auf.
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Fachgebiete
Vertreten von
Jehle, Volker Armin
München, Deutschland
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Skone James, Robert Edmund
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