Verfahren zur Behandlung einer Oberfläche einer Sic-Halbleiterschicht und Kontaktherstellung
EP1230672
Art B1
21. Januar 2009
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1230672
- Aktenzeichen
- EP00985028
- Anmeldetag
- 14. November 2000
- Veröffentlichung
- 21. Januar 2009
- Erteilung
- 21. Januar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Bickel, Michael
München, Deutschland
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