Verfahren zur Herstellung Flacher Isolationsgebiete in einem Integrierten Schaltkreis und Dadurch Hergestellter Integrierter Schaltkreis
EP1230677
Art A1
14. August 2002
Anmelder: NXP B.V., STMicroelectronics SA, Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1230677
- Aktenzeichen
- EP01960658
- Anmeldetag
- 10. August 2001
- Veröffentlichung
- 14. August 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
STMicroelectronics SA
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
van der Veer, Johannis Leendert
Eindhoven, Niederlande
1.997
Patente gesamt
25
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Pennings, Johannes
NoneEindhoven
-
van Oudheusden-Perset, Laure E
NoneEindhoven
-
Charpail, François
NoneParis
-
Lottin, Claudine
NoneParis