Zusammensetzung für Antireflexionsbeschichtung und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
EP1231512
Art B1
4. Februar 2004
Anmelder: Renesas Technology Corp., Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1231512
- Aktenzeichen
- EP01127559
- Anmeldetag
- 19. November 2001
- Veröffentlichung
- 4. Februar 2004
- Erteilung
- 4. Februar 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/09
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Renesas Technology Corp.
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Technology
Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.
421 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Hofer, Dorothea
München, Deutschland
1.039
Patente gesamt
29
Fachgebiete
8
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Prüfer, Lutz H., Dipl.-Phys
NoneMünchen