Methode, einen Bipolaren Transistor aus Silizium Herzustellen

EP1232523 Art A1 21. August 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG, Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ), TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1232523
Aktenzeichen
EP00980191
Anmeldetag
22. November 2000
Veröffentlichung
21. August 2002
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/331H01L29/73
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Infineon Technologies AG
Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ)
TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.942 Patente in unserer Datenbank

🇸🇪 Ericsson

Schwedischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Stockholm. Ericsson entwickelt Netzwerkinfrastruktur, Mobilfunktechnologien (u.a. 5G) und Kommunikationslösungen für Netzbetreiber und Unternehmen weltweit.

37.475 Patente in unserer Datenbank

🇸🇪 Telefonaktiebolaget LM Ericsson

Telefonaktiebolaget LM Ericsson ist der schwedische Telekommunikationsausrüster mit Sitz in Stockholm, einer der weltweit führenden Anbieter von Mobilfunknetztechnik. Das Patentportfolio konzentriert sich klar auf Nachrichtentechnik und Telekommunikation, ergänzt um Elektronik, Software und Halbleiterbauelemente. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2012.

392 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen