Methode, einen Bipolaren Transistor aus Silizium Herzustellen
EP1232523
Art A1
21. August 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG, Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ), TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1232523
- Aktenzeichen
- EP00980191
- Anmeldetag
- 22. November 2000
- Veröffentlichung
- 21. August 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/331H01L29/73
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ)
TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
🇸🇪
Ericsson
Schwedischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Stockholm. Ericsson entwickelt Netzwerkinfrastruktur, Mobilfunktechnologien (u.a. 5G) und Kommunikationslösungen für Netzbetreiber und Unternehmen weltweit.
27.748 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Fritzon, Rolf
Stockholm, Schweden
317
Patente gesamt
26
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Hasselgren, Erik Joakim
NoneStockholm