Dram mit Bitleitungen in Zwei Metallisierungsebenen

EP1232528 Art B1 26. Dezember 2007

Anmelder: Qimonda AG, Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1232528
Aktenzeichen: EP00966118
Anmeldetag: 5. Oktober 2000
Veröffentlichung: 26. Dezember 2007
Erteilung: 26. Dezember 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Qimonda AG
Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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