Sic-Einkristall und Herstellungsverfahren dafür

EP1233085 Art B1 7. Dezember 2005

Anmelder: Sixon Inc., The Kansai Electric Power Co., Inc., MITSUBISHI CORPORATION, Sumitomo Electric Industries, Ltd., THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1233085
Aktenzeichen: EP00956967
Anmeldetag: 6. September 2000
Veröffentlichung: 7. Dezember 2005
Erteilung: 7. Dezember 2005
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/36C30B23/00C30B25/00C30B23/02C30B25/02C30B25/20H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sixon Inc.
The Kansai Electric Power Co., Inc.
MITSUBISHI CORPORATION
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von