Verfahren zur Herstellung eines Vertikalen Transistor mit einem Gleichmässigen Gate-Oxid
EP1234325
Art A1
28. August 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG, International Business Machines Corporation, Infineon Technologies North America Corp. 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1234325
- Aktenzeichen
- EP00982265
- Anmeldetag
- 27. November 2000
- Veröffentlichung
- 28. August 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/265H01L21/336H01L29/04H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
International Business Machines Corporation
Infineon Technologies North America Corp. - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Fachgebiete
Vertreten von
Chamberlain, Alan James
Bristol, Großbritannien
664
Patente gesamt
27
Fachgebiete
20
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Vigars, Christopher Ian
NoneLondon