Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors und Verfahren zur Herstellung einer Integrierten Schaltungsanordnung mit einem Solchen Bipolartransistor

EP1234329 Art A1 28. August 2002

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1234329
Aktenzeichen: EP00985129
Anmeldetag: 1. Dezember 2000
Veröffentlichung: 28. August 2002
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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