Dreitransistor-Dram-Zelle und Dazugehöriges Herstellungsverfahren
EP1234333
Art A2
28. August 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1234333
- Aktenzeichen
- EP00993289
- Anmeldetag
- 28. November 2000
- Veröffentlichung
- 28. August 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
362
Patente gesamt
27
Fachgebiete
14
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Kindermann, Peter, Dipl.-Ing
NoneGrasbrunn