Methode zur Naheffekt-Korrektur mit teilweise strahlungsdurchlässigen, nicht aufgelösten Hilfsstrukturen
EP1235103
Art B1
18. April 2007
Anmelder: ASML Netherlands B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1235103
- Aktenzeichen
- EP02251316
- Anmeldetag
- 26. Februar 2002
- Veröffentlichung
- 18. April 2007
- Erteilung
- 18. April 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F1/14G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ASML Netherlands B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
ASML
Niederländisches Unternehmen, das Lithografiesysteme und weitere Anlagen für die Halbleiterfertigung entwickelt und herstellt, zentral für die Chipindustrie.
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Leeming, John Gerard
London, Großbritannien
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