Methode zur Naheffekt-Korrektur mit teilweise strahlungsdurchlässigen, nicht aufgelösten Hilfsstrukturen

EP1235103 Art B1 18. April 2007

Anmelder: ASML Netherlands B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1235103
Aktenzeichen
EP02251316
Anmeldetag
26. Februar 2002
Veröffentlichung
18. April 2007
Erteilung
18. April 2007
Rechtsraum
EP
IPC
G03F1/14G03F7/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
ASML Netherlands B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 ASML

Niederländisches Unternehmen, das Lithografiesysteme und weitere Anlagen für die Halbleiterfertigung entwickelt und herstellt, zentral für die Chipindustrie.

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