Verfahren zur thermischen Behandlung eines Halbleiterfilmes durch Laserbestrahlung

EP1235259 Art A3 29. Juli 2009

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1235259
Aktenzeichen: EP02004035
Anmeldetag: 22. Februar 2002
Veröffentlichung: 29. Juli 2009
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/268

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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