Verfahren zur Herstellung von polykristallinen Halbleiterschichten und Dünnschicht-Transistoren, und Vorrichtung zum Laserausglühen
EP1235260
Art A2
28. August 2002
Anmelder: SANYO ELECTRIC CO., LTD., Sanyo Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1235260
- Aktenzeichen
- EP02251240
- Anmeldetag
- 22. Februar 2002
- Veröffentlichung
- 28. August 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/268B23K26/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SANYO ELECTRIC CO., LTD.
Sanyo Electric Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sanyo Electric
Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.
1.709 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Cross, Rupert Edward Blount
London, Großbritannien
2.091
Patente gesamt
33
Fachgebiete
17
Anmelder-Länder
Schwerpunkte