Methode zur Stabilisierung Oxid - Halbleiter-Grenzflächen durch Verwendung von Elementen der 5.HAUTGRUPPE im Periodensystem und Stabilisierter Halbleiter
EP1237183
Art B1
19. Januar 2011
Anmelder: National Institute for Materials Science, Japan Science and Technology Agency, Japan as represented by Director General of National Research Institute for Metals, Japan Science and Technology Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1237183
- Aktenzeichen
- EP00974913
- Anmeldetag
- 10. November 2000
- Veröffentlichung
- 19. Januar 2011
- Erteilung
- 19. Januar 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/316
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- National Institute for Materials Science
Japan Science and Technology Agency
Japan as represented by Director General of National Research Institute for Metals
Japan Science and Technology Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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🇯🇵
Japan Science and Technology Agency
Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.
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Fachgebiete
Vertreten von
Calamita, Roberto
London, Großbritannien
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Patente gesamt
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5
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