Verfahren zum Herstellen eines Bipolartransistors mit Obenliegendem Kollektor
EP1238424
Art B1
23. März 2011
Anmelder: Infineon Technologies AG, Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ), TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1238424
- Aktenzeichen
- EP00983610
- Anmeldetag
- 29. November 2000
- Veröffentlichung
- 23. März 2011
- Erteilung
- 23. März 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8222H01L29/732H01L29/06H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ)
TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
🇸🇪
Ericsson
Schwedischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Stockholm. Ericsson entwickelt Netzwerkinfrastruktur, Mobilfunktechnologien (u.a. 5G) und Kommunikationslösungen für Netzbetreiber und Unternehmen weltweit.
27.748 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Fritzon, Rolf
Stockholm, Schweden
317
Patente gesamt
26
Fachgebiete
13
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Norin, Klas
NoneStockholm
-
Mrazek, Werner
NoneUppsala