Halbleiterkristallstruktur einer Verbindung der III-V Gruppe, entsprechendes Verfahren zum epitaktischen Wachstum und Halbleitervorrichtung mit einer solchen Struktur
EP1239062
Art A2
11. September 2002
Anmelder: NEC Corporation, NEC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1239062
- Aktenzeichen
- EP02004372
- Anmeldetag
- 5. März 2002
- Veröffentlichung
- 11. September 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/04C30B29/40H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NEC Corporation
NEC CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
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1873 in Berlin gegründet und damit eine der ältesten Patentanwaltskanzleien Deutschlands, heute in München ansässig. Berät Großkonzerne, mittelständische Unternehmen und Körperschaften öffentlichen Rechts in Elektrotechnik, Informatik, Elektronik und Chemie.
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