Halbleiteranordnung mit Bipolartransistor mit isoliertem Gate mit dielektrischer Isolationsstruktur und Verfahren zur Herstellung

EP1239522 Art A3 19. Mai 2004

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1239522
Aktenzeichen
EP02005216
Anmeldetag
7. März 2002
Veröffentlichung
19. Mai 2004
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/739H01L21/331H01L29/10
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.645 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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