Leistungs-MOSFET des Akkumulationstyps mit Graben-Gateelektrode

EP1239523 Art A3 12. Mai 2004

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1239523
Aktenzeichen
EP02005249
Anmeldetag
8. März 2002
Veröffentlichung
12. Mai 2004
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/36H01L29/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.645 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen