Retrograd Dotierter Subkollektor und Verfahren zur Herstellung
EP1240671
Art A1
18. September 2002
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1240671
- Aktenzeichen
- EP00985076
- Anmeldetag
- 21. November 2000
- Veröffentlichung
- 18. September 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/737H01L29/732
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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