SOI Substrat, zugehöriges Wärmebehandlungsverfahren, Halbleiterbauelement auf SOI Substrat und Herstellungsverfahren
EP1241707
Art A3
6. Juli 2005
Anmelder: CANON KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1241707
- Aktenzeichen
- EP02005550
- Anmeldetag
- 11. März 2002
- Veröffentlichung
- 6. Juli 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CANON KABUSHIKI KAISHA
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Canon
Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Leson, Thomas Johannes Alois, Dipl.-Ing
München, Deutschland
4.590
Patente gesamt
34
Fachgebiete
21
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TBK-Patent · München