In-Situ Nachätzungs Prozess zur Entfernung von Photoresist und Seitenwandspassivierungsrückständen
EP1243023
Art B1
20. Mai 2009
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION, LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1243023
- Aktenzeichen
- EP00990333
- Anmeldetag
- 21. Dezember 2000
- Veröffentlichung
- 20. Mai 2009
- Erteilung
- 20. Mai 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3213
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- LAM RESEARCH CORPORATION
LAM Research Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Browne, Robin Forsythe
Leeds, Großbritannien
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