Herstellungsverfahren einer Verbindungsstruktur mit einer Hohlräumen-Enthaldenden Isolierenden Schicht
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, STMicroelectronics S.A., Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1243024
- Aktenzeichen
- EP00993755
- Anmeldetag
- 28. Dezember 2000
- Veröffentlichung
- 8. Juni 2011
- Erteilung
- 8. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
STMicroelectronics S.A.
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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