Heteroübergang-Bipolartransistor mit obenliegendem Kollektor und dessen Herstellungsverfahren

EP1243029 Art B1 10. Oktober 2007

Anmelder: Thales 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1243029
Aktenzeichen: EP00988939
Anmeldetag: 15. Dezember 2000
Veröffentlichung: 10. Oktober 2007
Erteilung: 10. Oktober 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/737H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Thales
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Thales

Französischer Technologiekonzern mit Sitz in Paris, aktiv in Luft- und Raumfahrt, Verteidigungstechnik, Sicherheitstechnologie sowie Bahn- und Kommunikationssystemen für zivile und militärische Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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