Sic-Einkristall und Herstellungsverfahren dafür

EP1243674 Art B1 8. Juni 2005

Anmelder: Sixon Inc., Kansai Electric Power C.C., Inc., MITSUBISHI CORPORATION, Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1243674
Aktenzeichen
EP00956965
Anmeldetag
6. September 2000
Veröffentlichung
8. Juni 2005
Erteilung
8. Juni 2005
Rechtsraum
EP
IPC
C30B29/36C30B23/00C30B23/02C30B25/00C30B25/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Sixon Inc.
Kansai Electric Power C.C., Inc.
MITSUBISHI CORPORATION
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen