Sic-Einkristall und Herstellungsverfahren dafür
EP1243674
Art B1
8. Juni 2005
Anmelder: Sixon Inc., Kansai Electric Power C.C., Inc., MITSUBISHI CORPORATION, Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1243674
- Aktenzeichen
- EP00956965
- Anmeldetag
- 6. September 2000
- Veröffentlichung
- 8. Juni 2005
- Erteilung
- 8. Juni 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/36C30B23/00C30B23/02C30B25/00C30B25/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sixon Inc.
Kansai Electric Power C.C., Inc.
MITSUBISHI CORPORATION
Sumitomo Electric Industries, Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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Vertreten von
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Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München