Methoden zur Herstellung einer Feldeffekttransistor-Struktur mit Teilweise Isolierten Source/drain-Übergängen
EP1245049
Art B1
12. September 2007
Anmelder: Intel Corporation, INTEL CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1245049
- Aktenzeichen
- EP00992349
- Anmeldetag
- 27. November 2000
- Veröffentlichung
- 12. September 2007
- Erteilung
- 12. September 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L21/336H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Intel Corporation
INTEL CORPORATION - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
26.631 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Niederkofler, Oswald
München, Deutschland
234
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26
Fachgebiete
14
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Niederkofler, Oswald A., Dipl.-Phys
NoneMünchen