Polysiloxanharz und Verfahren zur Herstellung einer Zwischenschicht daraus für Wafer

EP1245642 Art B1 8. Juni 2005

Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd., SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1245642
Aktenzeichen
EP02251958
Anmeldetag
19. März 2002
Veröffentlichung
8. Juni 2005
Erteilung
8. Juni 2005
Rechtsraum
EP
IPC
C08L83/04C08J9/26H01B3/46H01L21/316H01L21/312
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Samsung Electronics Co., Ltd.
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Samsung Electronics

Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.

25.043 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen