Verfahren zur Herstellung eines kristallinen Galliumnitridsubstrats
EP1245702
Art A3
29. Juni 2005
Anmelder: Hitachi Cable, Ltd., NEC CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1245702
- Aktenzeichen
- EP02252184
- Anmeldetag
- 26. März 2002
- Veröffentlichung
- 29. Juni 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/40C30B25/18H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Hitachi Cable, Ltd.
NEC CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
27.370 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Jones, Helen M.M
London, Großbritannien
946
Patente gesamt
31
Fachgebiete
20
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Jones, Helen Marjorie Meredith
NoneLondon
-
Hucker, Charlotte Jane
NoneLondon