Herstellungsverfahren für ein Halbleitersubstrat aus GaN

EP1246233 Art B1 9. Mai 2018

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited, Sciocs Company Limited, Hitachi Metals, Ltd., Hitachi Cable, Ltd., NEC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1246233
Aktenzeichen: EP02090125
Anmeldetag: 27. März 2002
Veröffentlichung: 9. Mai 2018
Erteilung: 9. Mai 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20C30B29/40C30B25/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Chemical Company, Limited
Sciocs Company Limited
Hitachi Metals, Ltd.
Hitachi Cable, Ltd.
NEC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von