Mos-Transistor und Speicherzelle mit Eingekapselter Wolfram-Gate, und Herstellungsverfahren

EP1247299 Art B1 11. April 2007

Anmelder: Spansion LLC, ADVANCED MICRO DEVICES INC., FUJITSU LIMITED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1247299
Aktenzeichen
EP00959866
Anmeldetag
31. August 2000
Veröffentlichung
11. April 2007
Erteilung
11. April 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/105H01L21/8247H01L21/28H01L27/115H01L29/788
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Spansion LLC
ADVANCED MICRO DEVICES INC.
FUJITSU LIMITED
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Spansion

Spansion war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf Flash-Speicher spezialisiert war und später in Cypress Semiconductor aufging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik, ergänzt um Software. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2014.

433 Patente in unserer Datenbank

🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

2.407 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

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