Mos-Transistor und Speicherzelle mit Eingekapselter Wolfram-Gate, und Herstellungsverfahren
EP1247299
Art B1
11. April 2007
Anmelder: Spansion LLC, ADVANCED MICRO DEVICES INC., FUJITSU LIMITED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1247299
- Aktenzeichen
- EP00959866
- Anmeldetag
- 31. August 2000
- Veröffentlichung
- 11. April 2007
- Erteilung
- 11. April 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/105H01L21/8247H01L21/28H01L27/115H01L29/788
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Spansion LLC
ADVANCED MICRO DEVICES INC.
FUJITSU LIMITED - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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🇯🇵
Fujitsu
Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.
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Fachgebiete
Vertreten von
Picker, Madeline Margaret
London, Großbritannien
951
Patente gesamt
26
Fachgebiete
12
Anmelder-Länder
Schwerpunkte