Bipolartransistor mit isoliertem Gate und Verfahren zu dessen Herstellung

EP1248299 Art A3 28. Mai 2008

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1248299
Aktenzeichen
EP02007318
Anmeldetag
4. April 2002
Veröffentlichung
28. Mai 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/739H01L21/331H01L29/08
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.647 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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