Leistungs-MOSFET mit einer Graben-Gateelektrode und Verfahren zu dessen Herstellung

EP1248300 Art A3 12. Januar 2005

Anmelder: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY, LIMITED, Schindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1248300
Aktenzeichen
EP02006955
Anmeldetag
26. März 2002
Veröffentlichung
12. Januar 2005
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L29/739H01L29/423H01L21/336H01L21/331
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY, LIMITED
Schindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shindengen Electric Manufacturing

Shindengen Electric Manufacturing ist ein japanischer Hersteller von Leistungshalbleitern und Stromversorgungskomponenten, unter anderem für die Automobilindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie elektrische Energietechnik, ergänzt durch Elektronik und Fahrzeugtechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

601 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen