Leistungs-MOSFET mit einer Graben-Gateelektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1248300
Art A3
12. Januar 2005
Anmelder: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY, LIMITED, Schindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1248300
- Aktenzeichen
- EP02006955
- Anmeldetag
- 26. März 2002
- Veröffentlichung
- 12. Januar 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/739H01L29/423H01L21/336H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY, LIMITED
Schindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shindengen Electric Manufacturing
Shindengen Electric Manufacturing ist ein japanischer Hersteller von Leistungshalbleitern und Stromversorgungskomponenten, unter anderem für die Automobilindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie elektrische Energietechnik, ergänzt durch Elektronik und Fahrzeugtechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
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Vertreten von
Kirschner, Klaus Dieter
München, Deutschland
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