Dielektrikum-Herstellungsverfahren zum Dichten der Porosität von Geätzten Materialen mit Niedriger Dielektrizitätskonstante
EP1249039
Art A1
16. Oktober 2002
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1249039
- Aktenzeichen
- EP00963644
- Anmeldetag
- 20. September 2000
- Veröffentlichung
- 16. Oktober 2002
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/3105
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
Sanders, Peter Colin Christopher
London, Großbritannien
77
Patente gesamt
13
Fachgebiete
4
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Schwerpunkte