Sic-Einkristall und Herstellungsverfahren dafür

EP1249521 Art B8 3. Mai 2006

Anmelder: Sixon Inc., Kansai Electric Power C.C., Inc., MITSUBISHI CORPORATION, Sumitomo Electric Industries, Ltd., THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1249521
Aktenzeichen: EP00956968
Anmeldetag: 6. September 2000
Veröffentlichung: 3. Mai 2006
Erteilung: 3. Mai 2006
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/36H01L21/205C30B23/00C30B23/02C30B25/00C30B25/02C30B25/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sixon Inc.
Kansai Electric Power C.C., Inc.
MITSUBISHI CORPORATION
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von